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CA-IS3214TSCG

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量產

適用于IGBT/SiC、高 CMTI、10A 拉/灌電流的單通道增強隔離柵極驅動器

CA-IS3214 是一系列基于電容隔離的單通道柵極驅 動器,可用于驅動MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 等功率 器件。該驅動器具有出色的動態性能和高可靠性,同時 具有高達10A/10A 峰值的拉/灌電流能力。 CA-IS3214 通過 SiO2 電容隔離技術實現控制側與驅 動側的電氣隔離,支持 1.5kVRMS的隔離工作電壓、12.8 kVPK 浪涌抗擾度,額定工作電壓下隔離柵壽命超過 40 年,同時具有良好的器件一致性以及>150kV/μs 的共模 瞬態抗擾度 (CMTI)。 

CA-IS3214 具有控制和驅動側電源UVLO功能,同時 針對 SiC 和 IGBT 開關行為進行了優化,并提高了可靠 性。此外,CA-IS3214MxG 內置5A 峰值電流有源米勒鉗 位;CA-IS3214SxG 和 CA-IS3214TSCG 具有 OUTH 和OUTL 分離輸出配置。 

CA-IS3214 輸入 IN+/IN–提供 CMOS 或者 TTL 邏輯選 項,其中CA-IS3214TSCG為TLL邏輯,其它料號為CMOS 邏輯。

CA-IS3214 器件采用 8 引腳寬體 SOIC 封裝。所有器 件的額定工作結溫范圍為 –40°C至 +150°C。

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  • 特性

    驅動高達 2121VPK的 SiC MOSFET 和 IGBT

    10A/10A 峰值拉/灌驅動電流能力

    輸入CMOS或者TTL(CA-IS3214TSCG)邏輯

    寬電源范圍

    3.0V 至 5.5V 輸入側 VCC 電源范圍
    高達 33V 的輸出驅動電源(VDD – VEE),具有兩種UVLO 選項: B版本:8V 、C版本:12.5V

    輸入引腳上30ns(典型值)脈沖抑制功能

    延時特性

    80ns(典型值)傳播延遲
    15ns(最大值)脈寬失真
    15ns(最大值)器件間延時匹配

    SOIC8-WB 封裝,爬電距離和電氣間隙>8.2mm, 5700VRMS隔離耐壓等級

    高共模瞬態抗擾度

    >150kV/μs

    額定工作電壓下隔離柵壽命大于40年

    工作結溫(TJ)范圍 :–40°C至 150°C

  • 應用

    • 電機逆變器

    • 新能源車載充電器

    • 光伏逆變器

  • 器件信息


    器件型號封裝封裝尺寸(標稱值)
    CA-IS3214xxGSOIC8-WB (G)5.85mm x 7.50mm 
    CA-IS3214TSCGSOIC8-WB (G)5.85mm x 7.50mm


  • 簡化通道結構圖

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